瑞萨携手台积电研发半导体结构技术，抢占自动驾驶商机

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全球微控制器（MCU）厂商瑞萨电子（Renesas Electronics）已研发出一项新技术，藉由活用被称为鳍式场效晶体管（FinFET）的先端半导体结构技术，成功将半导体内存「SRAM」的数据处理速度呈现飞跃性的增长。报导指出，瑞萨已利用台湾台积电台湾工厂的16nm制程技术生产出上述FinFET SRAM的试作品、并完成了性能测试，证实该FinFET SRAM的处理速度可较瑞萨现行产品提高30%以上水平、且耗电力可删减40%。

瑞萨携手台积电研发半导体结构技术，抢占自动驾驶商机

据报导，瑞萨透过台积电所生产的FinFET SRAM试作品的更大特征就是可瞬间处理大量的数据，预估将可应用于汽车的先进驾驶辅助系统（Advanced Driver Assistance Systems；ADAS）或自动驾驶等用途。报导指

出，瑞萨计划于2020年量产上述FinFET SRAM，并将使用在自家的车载情报机器用LSI上。

日经新闻报导，瑞萨电子9月2日于东京都展示了一款融合自动驾驶、传感器技术的次世代自动驾驶系统的试作机，并计划于2016年实用化。

该款次代自驾系统融合了瑞萨自家系统整合芯片（System LSI）及影像辨识技术，可藉由车用照相机辨识驾驶的动作，即便驾驶闭着眼睛、也能办别危险自动将车子停靠在路肩，另外也能侦测是否有机车靠近车尾、并向驾驶提出警示。